FCPF11N60 MOSFET
Type Designator: FCPF11N60
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 36 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 5 V
Maximum Drain Current |Id|: 11 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Total Gate Charge (Qg): 40 nC
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.38 Ohm
Package: TO220F
Kullanacağınız kredi kartının ticari veya bireysel olması durumuna göre taksit seçenekleri değişebilir. Taksit seçenekleri liste fiyatı üzerinden görüntülenmektedir. İndirimli fiyatlara göre taksit seçeneklerini ödeme sayfasından görüntüleyebilirsiniz.